服务热线
15901805483
Product category
Related articles
品牌 | 其他品牌 | 产地类别 | 国产 |
---|---|---|---|
应用领域 | 电子,电气,综合 | 型号 | VR?-?HTGB |
温度偏差 | ≤±2℃(空载) | 重?量 | 500kg |
MTBF | ?8000小时 |
IGBT动/静态测试系统
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由(BipolarJunctionTransistor,BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MetalOxideSemiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GiantTransistor,GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是电力控制和电力转换的核心器件,是由BJT(双极型晶体管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有高输入阻抗,低导通压降,高速开关特性和低导通状态损耗等特点,非常适合高电压和高电流的光伏逆变器、储能装置和新能源汽车等电力电子应用