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IGBT动/静态测试系统

IGBT动/静态测试系统

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更新时间:2023-03-23

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品牌其他品牌产地类别国产
应用领域电子,电气,综合型号VR?-?HTGB
温度偏差≤±2℃(空载)重?量500kg
MTBF?8000小时

IGBT动/静态测试系统

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由(BipolarJunctionTransistor,BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MetalOxideSemiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GiantTransistor,GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是电力控制和电力转换的核心器件,是由BJT(双极型晶体管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有高输入阻抗,低导通压降,高速开关特性和低导通状态损耗等特点,非常适合高电压和高电流的光伏逆变器、储能装置和新能源汽车等电力电子应用






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